BiCS FLASH进阶时，加速存储新进化

AI算力需求爆炸，进阶时加速海量数据频繁调动，存储致使存储行业变得愈发重要。新进欧交易所app官网下载无论是进阶时加速当下的生成式AI，还是存储即将到来的AI智能体、端侧AI，新进高性能、进阶时加速高密度、存储高能效存储解决方案都将作为可靠的新进硬件基础，进而解决数据中心、进阶时加速AI训练推理以及移动设备在数据存储与访问的存储欧交易所app官网下载瓶颈问题。在众多存储技术发展路径中，新进铠侠BiCS FLASH 3D闪存技术为行业提供了大量支持，进阶时加速也是存储高性能存储中，不可缺少的新进关键角色。

铠侠作为闪存技术的发明者，秉承着Bit Cost Scalable Flash的理念，BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶颈的之后，转而向垂直方向堆叠存储单元，通过巧妙的交替堆叠板状电极和绝缘体，一次性垂直打孔穿透存储层，并在孔内填充电荷储存膜和柱状电极，从而构建了当前主流的3D NAND。更重要的是，BiCS FLASH的升级从未停止。

性能与密度兼得

当下依然成为主流的第八代BiCS FLASH已经应用在诸多存储产品中，从移动端和车载的UFS系列，到消费级SSD，再到企业级和数据中心级存储方案，都能发现第八代BiCS FLASH的身影。

第八代BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升，特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。 为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制，铠侠通过专有工艺和创新架构，实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡，所开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）架构和3.6Gbps接口速度，给AI应用、数据中心、移动设备都提供了更多潜在可能。

CBA架构与以往单个晶圆制造CMOS逻辑电路与存储单元完全不同，而是分成了两片分别制造，然后再进行翻转后贴在一起，从而实现不同工艺都可以发挥更大优势，也可以进一步压缩生产时间。由于存储单元和CMOS逻辑电路都有了可以发挥的广阔空间，第八代BiCS FLASH实现了存储密度与性能双向提升，包括写入性能提高20%，读取速度提高10%，耗电量减少了30%（写入时），接口速度达到了3.6 Gbps，接口速度表现上也优于同级别产品。

其中第八代BiCS FLASH QLC打造出了业界最大容量的2Tb规格，当一个封装内堆叠32个Die的时候，就能做到单个存储芯片实现业界领先的8TB容量，多个存储芯片结合，构建出256TB的企业级SSD，如果抛开OP空间，存储容量仍然可达245.76TB，铠侠LC9 245.76TB企业级SSD就是很好的例子。目前LC9已经与部分数据中心展开合作，进一步加速AI数据中心高效能部署，同时获得更低的总体拥有成本（TCO）。

双轨并行，为AI加码

在第八代BiCS FLASH成为行业中流砥柱的同时，第九代BiCS FLASH和第十代BiCS FLASH也将蓄势待发。全新的两代产品实际上扮演着双轨并行的策略。

第九代BiCS FLASH专注利用CBA技术，在现有存储单元技术的基础上，推出成本更具备优势的产品。通过集成最新的CBA技术和Toggle DDR 6.0接口，第九代BiCS FLASH也实现了显著的性能与能效提升，能够帮助主流企业级SSD、边缘计算、AI应用提供一套均衡的解决方案。

第十代BiCS FLASH则进一步升级存储阵列堆叠层数，大幅度提升至332层，同样采用Toggle DDR6.0接口实际SCA独立命令地址协议，将NAND接口速度提升至4.8Gbps，以满足未来AI训练、科学计算等超大规模数据中心对存储带宽和容量的极致需求，也有助于降低超大容量SSD的制造复杂度和成本。

此外，铠侠也在探索如XL-FLASH存储级内存和OCTRAM等新型存储技术，为未来的计算架构做准备。

在未来规划中，铠侠继续追求更高的存储密度，与各行业客户共同合作，进一步降低TCO，提升效能，为接下来迈向更高存储密度的目标奠定坚实的基础，为云端与端侧应用提供更优质的存储解决方案。

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